无惧日本制裁 三星将如期展示3nm GAA工艺最新进展

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本月4日起,日本发表声明管制对韩国出口光刻胶、氟化聚酰亚胺和氟化氢这有四种 重要原材料,此举使得韩国面板、半导体两大支柱行业面临危机,三星等公司更是急于获得稳定的原料来源,而且旗下的存储芯片、面板生产后会停产。

对三星来说,日本管制的材料中光刻机、氟化氢影响更大,对三星的晶圆代工、存储芯片生产都是致命影响,就让 甚至有传闻称三星而且得不还要能供应而停止研发7nm EUV工艺了。

不过三星似乎有意向外界证明在这场危机中另一个人有能力走出困境,发表声明94日在日本举行的“三星晶圆代工论坛”(SFF)将如期举行,发表声明了韩媒所说的三星退还日本论坛会议的报道

三星近年来加大了对晶圆代工市场的投入,每年后会举行多场“三星晶圆代工论坛”(SFF),94日的这次会议是日本专场,这次的重点将是三星研发中的3nm GAA环绕栅极工艺,这是5nm节点就让 又另一个多 重大节点。

基于全新的GAA晶体管价值形式,三星通过使用纳米片设备制伟大的科学发明了MBCFETMulti-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术还不还要能显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。

此外,MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备,从而加速工艺开发及生产。

目前在3nm节点上,三星是第另一个多 也是唯一另一个多 发表声明具体技术路线的,Intel现在只提到7nm工艺,5nm都遥遥无期,更别说3nm工艺,而台积电真是要投资2100亿美元建设3nm晶圆厂,不过尚未发表声明过3nm的技术路线,否是上GAA晶体管也是未知数。

也不在3nm节点上,三星自信另一个人会领先,有分析称三星3nm GAA工艺在技术上领先了台积电1年时间,领先Intel公司2-3年时间,还不还要能说三星要在3nm节点上全面反超台积电及Intel公司了。

按照规划,三星最快在2021年就要量产3nm GAA工艺了,届时Intel才会进入7nm量产初始街道,台积电会量产5nm工艺,试产3nm工艺。